摘要: 本文着重叙述了我们在探索引上法快速培育NaI(Tl)单晶体的技术中得到的几点经验,并对实验现象加以理论上的解释。初步对影响晶体生长速度的炉温温度分布,给予了经验选择。对晶体中Tl的分布、激活剂Tl对基质NaI的分配系数以及晶体封装技术等影响晶体能量分辨率的工艺因素作了介绍。从培育技术角度,结合斯托克巴格(Stockbarger)法对基洛泡罗斯(Kyropoulos)法作了改进。提出了定区域生长晶体的必要条件及方法上的新设想。